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參數資料
| 型號： | GS8180S09 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 2Mb x 9Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(2M x 9位獨立I/O接口雙數據速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| 中文描述： | 2MB的x 9Bit分離I / O西格瑪的DDR SRAM的（2米× 9位獨立的I / O接口雙數據速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM） |
| 文件頁數： | 4/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 853K |
| 代理商： | GS8180S09 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
4/32
2000, Giga Semiconductor, Inc.
A
Advanced Information
GS8180S09/18/36B-333/300/275/250
8180
S
09 Pinout
2M x 9 Separate I/O—Top View
1
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3
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5
6
7
8
9
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11
A
D1
D2
A
E2
A,
NC
(16M)
MCL
A,
NC
(8M)
E3
A
NC
NC
B
D3
D4
NC
NC
A
(x36)
W
A
NC
NC
NC
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C
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D6
NC
NC
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NC
(128M)
E1
A
(x18)
A
(x9)
NC
NC
NC
D
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D8
V
SS
NC
NC
MCL
NC
NC
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E
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U
NC
NC
NC
A
NC
(64M)
A
NC
(32M)
A
NC
NC
NC
V
NC
NC
A
(2M)
A
A
A1
A
A
A
(4M)
NC
NC
W
NC
NC
TMS
TDI
A
MCL
A
TDO
TCK
NC
NC
Rev 1
11 x 19 Bump BGA—14 x 22 mm2 Body—1 mm Bump Pitch—MS-028vBC
Note:
Users of CMOS I/O Sigma RAMs may wish to connect D4, D8, T4, T8 and K4 to V
DDQ
/2 to allow alternate use of HSTL
I/O Sigma RAMs.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS820322T-138 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032Q-100 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032Q-117 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032T-66 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032T-6I | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8182D08BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D08BD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D08BD-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D09BD-400 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 2M X 9 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D18BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 1MX18 0.5NS 165FPBGA - Trays |
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