- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄383036 > GS8180S09 (GSI TECHNOLOGY) 2Mb x 9Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(2M x 9位獨立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS8180S09 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 2Mb x 9Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(2M x 9位獨立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| 中文描述： | 2MB的x 9Bit分離I / O西格瑪?shù)腄DR SRAM的（2米× 9位獨立的I / O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 21/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 853K |
| 代理商： | GS8180S09 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁當前第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
21/32
2000, Giga Semiconductor, Inc.
A
Advanced Information
GS8180S09/18/36B-333/300/275/250
Timing Parameter Key - Read Cycle Timing
tKHQX1
tKHQV
tAVKH
tKHAX
tKHQX
tKHQZ
tKHCH
CK
A
Q
tKHKH
tKLKH
tKHKL
A
B
C
QA
CQ
tCHQV
tQXCH
tKHCX1
tKLCL
tKHCZ
= CQ High Z
(Pipelined)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS820322T-138 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032Q-100 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032Q-117 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032T-66 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032T-6I | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8182D08BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D08BD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D08BD-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D09BD-400 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 2M X 9 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D18BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 1MX18 0.5NS 165FPBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。