- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383036 > GS8180S09 (GSI TECHNOLOGY) 2Mb x 9Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(2M x 9位獨立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS8180S09 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 2Mb x 9Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(2M x 9位獨立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| 中文描述： | 2MB的x 9Bit分離I / O西格瑪?shù)腄DR SRAM的（2米× 9位獨立的I / O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 3/32頁 |
| 文件大小： | 853K |
| 代理商： | GS8180S09 |
第1頁第2頁當(dāng)前第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
3/32
2000, Giga Semiconductor, Inc.
A
Advanced Information
GS8180S09/18/36B-333/300/275/250
8180
S
18 Pinout
1M x 18 Separate I/O—Top View
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
Db1
Db2
A
E2
A
(16M)
MCL
A
(8M)
E3
A
NC
NC
B
Db3
Db4
MCL
NC
A
W
A
NC
NC
NC
NC
C
Db5
Db6
NC
NC
NC
(128M)
E1
A
NC
MCL
NC
NC
D
Db7
Db8
V
SS
NC
NC
MCL
NC
NC
V
SS
NC
NC
E
Db9
Qb1
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
NC
NC
F
Qb3
Qb2
V
SS
V
SS
V
SS
ZQ
SS
V
SS
V
SS
NC
NC
G
Qb5
Qb4
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
EP2
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
NC
NC
H
Qb7
Qb6
V
SS
V
SS
V
SS
EP3
V
SS
V
SS
V
SS
NC
NC
J
Qb9
Qb8
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
M4
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
NC
NC
K
CQ2
CQ2
CK
NC
V
SS
MCL
V
SS
NC
NC
CQ1
CQ1
L
NC
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
M2
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
Qa8
Qa9
M
NC
NC
V
SS
V
SS
V
SS
M3
V
SS
V
SS
V
SS
Qa6
Qa7
N
NC
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
MCH
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
Qa4
Qa5
P
NC
NC
V
SS
V
SS
V
SS
MCL
V
SS
V
SS
V
SS
Qa2
Qa3
R
NC
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
Qa1
Da9
T
NC
NC
V
SS
NC
NC
MCL
NC
NC
V
SS
Da8
Da7
U
NC
NC
NC
A
NC
(64M)
A
NC
(32M)
A
NC
Da6
Da5
V
NC
NC
A
(2M)
A
A
A1
A
A
A
(4M)
Da4
Da3
W
NC
NC
TMS
TDI
A
MCL
A
TDO
TCK
Da2
Da1
Rev 10
11 x 19 Bump BGA—14 x 22 mm2 Body—1 mm Bump Pitch—MS-028vBC
Note:
Users of CMOS I/O Sigma RAMs may wish to connect D4, D8, T4, T8 and K4 to V
DDQ
/2 to allow alternate use of HSTL
I/O Sigma RAMs.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS820322T-138 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032Q-100 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032Q-117 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032T-66 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032T-6I | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8182D08BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D08BD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D08BD-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D09BD-400 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 2M X 9 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D18BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 1MX18 0.5NS 165FPBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。