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參數(shù)資料
| 型號： | GS8170DW72AC-250IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 72 STANDARD SRAM, 2.1 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
| 文件頁數(shù)： | 8/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 1038K |
| 代理商： | GS8170DW72AC-250IT |
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GS8170DW36/72AC-350/333/300/250
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
16/32
2003, GSI Technology
Note:
This parameter is sample tested.
AC Test Load Diagram
Capacitance
(TA = 25oC, f = 1 MHZ, VDD = 1.8 V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
4
5
pF
Output Capacitance
COUT
VOUT = 0 V
6
7
pF
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDDQ
Input low level
0 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
VDDQ/2
Output reference level
VDDQ/2
20% tKC
VSS – 1.0 V
50%
VSS
VIH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
VDD + 1.0 V
50%
VDD
VIL
DQ
VT = VDDQ/2
50
RQ = 250
(HSTL I/O)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8170DW72AGC-300IT | 256K X 72 STANDARD SRAM, 1.8 ns, PBGA209 |
| GS8182S18GBD-200I | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8182T36BGD-333IT | 512K X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS82032AGQ-133IT | 64K X 32 CACHE SRAM, 10 ns, PQFP100 |
| GS8321EV18GE-133T | 2M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8170DW72AC-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 18MBIT 256KX72 1.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW72AC-350I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 18MBIT 256KX72 1.7NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW72AGC-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 18MBIT 256KX72 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW72AGC-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 18MBIT 256KX72 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW72AGC-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 18MBIT 256KX72 1.8NS 209FBGA - Trays |
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