- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄299161 > GS8160V18AGT-150IT (GSI TECHNOLOGY) 1M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8160V18AGT-150IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 7/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | GS8160V18AGT-150IT |
Rev: 1.00a 6/2003
15/24
2003, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
GS8160V18/32/36AT-350/333/300/250/200/150
Preliminary
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
IIN1
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ VIN ≤ VIH
–1 uA
1 uA
100 uA
FTInput Current
IIN2
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ VIN ≤ VIL
–100 uA
–1 uA
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
VOH
IOH = –4 mA, VDDQ = 1.6 V
VDDQ – 0.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 4 mA, VDD = 1.6 V
—
0.4 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8160V36BGT-150I | 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| GS8160ZV18AGT-150I | 1M X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| GS8161E36AT-300IT | 512K X 36 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| GS8161Z36AGT-275I | 512K X 36 ZBT SRAM, 5.25 ns, PQFP100 |
| GS816272C-150T | 256K X 72 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA209 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8160V18AT | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8160V18AT-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8160V18AT-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8160V18AT-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8160V18AT-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。