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參數(shù)資料
| 型號： | GS8160E36GT-250 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 7/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 647K |
| 代理商： | GS8160E36GT-250 |
GS8160E18/32/36T-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.13 11/2004
15/25
1999, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
IIN1
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ VIN ≤ VIH
–1 uA
1 uA
100 uA
FT Input Current
IIN2
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ VIN ≤ VIL
–100 uA
–1 uA
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
VOH2
IOH = –8 mA, VDDQ = 2.375 V
1.7 V
—
Output High Voltage
VOH3
IOH = –8 mA, VDDQ = 3.135 V
2.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8 mA
—
0.4 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| GS8162ZV36AGD-350I | 512K X 36 ZBT SRAM, 4.5 ns, PBGA165 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS8160E36T-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8160E36T-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8160E36T-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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