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參數(shù)資料
| 型號： | GS816037T-133I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 8/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 901K |
| 代理商： | GS816037T-133I |
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Rev: 1.00 3/2002
11/24
2002, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Preliminary
GS816019/33/37T-250/225/200/166/150/133
Note:
Permanent damage to the device may occur if the Absolute Maximum Ratings are exceeded. Operation should be restricted to Recommended Operating Condi-
tions. Exposure to conditions exceeding the Absolute Maximum Ratings, for an extended period of time, may affect reliability of this component.
Absolute Maximum Ratings
(All voltages reference to VSS)
Symbol
Description
Value
Unit
VDD
Voltage on VDD Pins
–
0.5 to 4.6
V
VDDQ
Voltage in VDDQ Pins
–
0.5 to 4.6
V
VCK
Voltage on Clock Input Pin
–
0.5 to 6
V
VI/O
Voltage on I/O Pins
–
0.5 to VDDQ +0.5 (≤ 4.6 V max.)
V
VIN
Voltage on Other Input Pins
–
0.5 to VDD +0.5 (≤ 4.6 V max.)
V
IIN
Input Current on Any Pin
+/–20
mA
IOUT
Output Current on Any I/O Pin
+/–20
mA
PD
Package Power Dissipation
1.5
W
TSTG
Storage Temperature
–
55 to 125
oC
TBIAS
Temperature Under Bias
–
55 to 125
oC
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