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參數資料
| 型號： | GS8150V36AB-300IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 36 LATE-WRITE SRAM, 1.6 ns, PBGA119 |
| 封裝： | FBGA-119 |
| 文件頁數： | 3/25頁 |
| 文件大小： | 885K |
| 代理商： | GS8150V36AB-300IT |
GS8150V18/36AB-357/333/300/250
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.08 9/2008
11/25
2003, GSI Technology
AC Test Load Diagram
Input and Output Leakage Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Notes
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDDQ
–2 uA
2 uA
—
ZQ, MCH, MCL, EP2, EP3
Pin Input Current
IINM
VIN = 0 to VDDQ
–50 uA
50 uA
—
Output Leakage Current
IOL
Output Disable,
VOUT = 0 to VDDQ
–2 uA
2 uA
—
Operating Currents
Parameter
Symbol
-357
-333
-300
-250
Test Conditions
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
Operating
Current
x36
IDD
650 mA
660 mA
600 mA
610 mA
550 mA
560 mA
500 mA
510 mA
SS
≤ VIL Max.
tKHKH
≥ tKHKH Min.
All other inputs
VIL ≥ VIN ≥ VIH
x18
IDD
600 mA
610 mA
550 mA
560 mA
500 mA
510 mA
450 mA
460 mA
HSTL
Deselect
Current
IDD3
150 mA
160 mA
150 mA
160 mA
150 mA
160 mA
150 mA
160 mA
Device Deselected
All inputs
VSS + 0.10 V
≥ VIN ≥
VDD – 0.10 V
DQ
VDDQ/2
50
Ω
50
Ω
50
Ω
50
Ω
VDDQ/2
25
Ω
5pF
Device Under Test
VDDQ = 1.5 V
ZQ
RQ = 250
Ω
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816032T-250T | 512K X 32 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| GS816036BGT-300 | 512K X 36 CACHE SRAM, 5.3 ns, PQFP100 |
| GS816037T-133I | 512K X 36 CACHE SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| GS8160E18AT-300 | 1M X 18 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| GS8160V18AGT-150IT | 1M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8150V36AB-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8150V36AB-333 - Trays |
| GS8150V36AB-333I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM |
| GS8150V36AB-357 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8150V36AB-357 - Trays |
| GS8150V36AB-357I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM |
| GS8150V36AGB-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM |
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