參數(shù)資料
型號(hào)： GS81302T09E-375T
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁數(shù)： 8/36頁
文件大?。?/td> 1243K
代理商： GS81302T09E-375T
GS81302T08/09/18/36E-375/350/333/300/250
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2011
16/36
2011, GSI Technology
20% tKHKH
VSS – 1.0 V
50%
VSS
VIH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKHKH
VDD + 1.0 V
50%
VDD
VIL
Capacitance
oC, f = 1 MHZ, VDD = 1.8 V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
4
5
pF
Output Capacitance
COUT
VOUT = 0 V
6
7
pF
Clock Capacitance
CCLK
—
5
6
pF
Note:
This parameter is sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDDQ
Input low level
0 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
VDDQ/2
Output reference level
VDDQ/2
Note:
Test conditions as specified with output loading as shown unless otherwise noted.
DQ
VT = VDDQ/2
50
Ω
RQ = 250
Ω (HSTL I/O)
VREF = 0.75 V
AC Test Load Diagram
(TA = 25
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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GS815018AB-250I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2NS 119FPBGA - Trays
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