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參數(shù)資料
| 型號： | GS81302D37GE-400I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 5/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 687K |
| 代理商： | GS81302D37GE-400I |
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Nybble Write Clock Truth Table
NW
Current Operation
D
K
↑
(tn+1)
K
↑
(tn+1)
K
↑
(tn+2)
K
↑
(tn+2)
K
↑
(tn)
K
↑
(tn+1)
K
↑
(tn+1)
K
↑
(tn+2)
K
↑
(tn+2)
T
Write
Dx stored if NWn = 0 in all four data transfers
D0
D2
D3
D4
T
F
Write
Dx stored if NWn = 0 in 1st data transfer only
D0
X
F
T
F
Write
Dx stored if NWn = 0 in 2nd data transfer only
X
D1
X
F
T
F
Write
Dx stored if NWn = 0 in 3rd data transfer only
X
D2
X
F
T
Write
Dx stored if NWn = 0 in 4th data transfer only
X
D3
F
Write Abort
No Dx stored in any of the four data transfers
X
Notes:
1. “1” = input “high”; “0” = input “l(fā)ow”; “X” = input “don’t care”; “T” = input “true”; “F” = input “false”.
2. If one or more NWn = 0, then NW = “T”, else NW = “F”.
x8 Nybble Write Enable (NWn) Truth Table
NW0
NW1
D0–D3
D4–D7
1
Don’t Care
0
1
Data In
Don’t Care
1
0
Don’t Care
Data In
0
Data In
Preliminary
GS81302D07/10/19/37E-450/400/350/333/300
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 12/2010
13/33
2008, GSI Technology
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS81302D10E-300I | 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS81302T09E-375T | 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS81302T18E-350T | 8M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS81302T10E-350I | 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS81302T110E-450T | 16M X 9 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS81302S18E-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 144MBIT 8MX18 0.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS81302S18E-167I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 144MBIT 8MX18 0.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS81302S18E-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 144MBIT 8MX18 0.45NS 165FPBGA - Trays |
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