參數(shù)資料
型號(hào)： GS81302D08E-333
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 16M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 33/34頁(yè)
文件大?。?/td> 536K
代理商： GS81302D08E-333
GS81302D08/09/18/36E-375/350/333/300/250
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2011
8/34
2011, GSI Technology
SigmaQuad-II B4 SRAM DDR Write
The status of the Address Input, W, and R pins are sampled by the rising edges of K. W and R high causes chip disable. A low on
the Write Enable-bar pin, W, and a high on the Read Enable-bar pin, R, begins a write cycle. W is always ignored if the previous
command was a write command. Data is clocked in by the next rising edge of K, the rising edge of K after that, the next rising edge
of K, and finally by the next rising edge of K.
Write A
NOP
Read B
Write C
Read D
Write E
NOP
A
B
C
D
E
A
A+1
A+2
A+3
C
C+1
C+2
C+3
E
E+1
E+
A
A+1
A+2
A+3
C
C+1
C+2
C+3
E
E+1
E+
B
B+1
B+2
B+3
D
D+1
D+2
K
Address
R
W
BWx
D
C
Q
CQ
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