參數(shù)資料
型號： FMMT413
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： FMMT413
SOT23 NPN SILICON PLANAR
AVALANCHE TRANSISTOR
PROVISIONAL DATASHEET ISSUE 2 MARCH 1996
FEATURES
*
Avalanche mode operation
*
50A Peak avalanche current
*
Low inductance packaging
APPLICATIONS
*
Laser LED drivers
*
Fast edge generation
*
High speed pulse generators
PARTMARKING DETAIL - 413
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
150
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
50
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
6
V
Continuous Collector Current
I
C
100
mA
Peak Collector Current (25ns Pulse Width)
I
CM
50
A
Power Dissipation
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CES
150
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CEO(sus)
50
V
I
C
=10mA
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
6
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
0.1
μ
A
V
CB
=120V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.15
V
I
C
=10mA, I
B
=1mA
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.8
V
I
C
=10mA, I
B
=1mA
Current in Second
Breakdown (Pulsed)
I
USB
22
31
A
A
V
C
=110V, C
CE
=4.7nF*
V
C
=130V, C
CE
=4.7nF*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
50
I
C
=10mA, V
CE
=10V
*Measured within a circuit possessing an approximate loop inductance of 12nH. The I
(USB)
monitor
circuitry reflects 0.15 Ohm into the Collector-Emitter Discharge Loop
The FMMT413 device is a development product. Samples availability and release to production
scheduled for June 1996
FMMT413
C
B
E
SOT23
3 - 102
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PDF描述
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