參數(shù)資料
型號(hào)： FMMT455
廠商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 136K
代理商： FMMT455
SOT23 NPN SILICON PLANAR
HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
ISSUE 3 FEBRUARY 1996
FEATURES
*
140 Volt V
CEO
*
1 Amp continuous current
*
P
tot
= 500 mW
PARTMARKING DETAIL
455
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
160
V
Collector-Emitter Voltage
140
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
2
A
Continuous Collector Current
1
A
Base Current
200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
500
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
160
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CEO(sus)
140
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
0.1
μ
A
V
CB
=140V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.7
V
I
C
=150mA, I
B
=15mA
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
100
10 Typ
300
I
C
=150mA, V
=10V*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
Transition
Frequency
f
T
100
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
15
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
FMMT455
SOT23
C
B
E
3 - 110
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMMT458 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FMMT459 450V SILICON NPN HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
FMMT459TA 450V SILICON NPN HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
FMMT459TC 450V SILICON NPN HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
FMMT489 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMMT455TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT455TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT458 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:225mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
FMMT458 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN SOT-23
FMMT458TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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