參數(shù)資料
型號： FMMT417
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR
中文描述： 500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： FMMT417
SOT23 NPN SILICON PLANAR
AVALANCHE TRANSISTOR
ISSUE 4 - OCTOBER 1995
%
FEATURES
*
Specifically designed for Avalanche mode operation
*
60A Peak Avalanche Current (Pulse width=20ns)
APPLICATIONS
*
Laser LED drivers
*
Fast edge generation
*
High speed pulse generators
PARTMARKING DETAIL
FMMT415 415
FMMT417 417
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FMMT415
FMMT417
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
260
320
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
100
100
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
6
V
Continuous Collector Current
I
C
500
mA
Peak Collector Current (Pulse Width=20ns)
I
CM
60
A
Power Dissipation
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX. UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown
Voltage
FMMT415
V
(BR)CES
260
V
I
C
=1mA
T
amb
= -55 to +150°C
I
C
=1mA
I
C
=100
μ
A
FMMT417
320
V
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
CEO(sus)
100
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
I
CBO
6
V
μ
A
μ
A
I
E
=10
μ
A
V
CB
=180V
V
CB
=180V,
T
amb
=100°C
V
EB
=4V
I
C
=10mA, I
B
=1mA*
Collector Cut-Off Current
0.1
10
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
0.1
μ
A
Collector-Emitter Saturation
Voltage
0.5
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.9
V
I
C
=10mA, I
B
=1mA*
Current in Second Breakdown
(Pulsed)
I
SB
15
25
A
A
V
C
=200V, C
CE
=620pF
V
C
=250V, C
CE
=620pF
I
C
=10mA, V
CE
=10V*
Static Forward Current Transfer
Ratio
h
FE
25
Transition Frequency
f
T
40
MHz
I
=10mA, V
CE
=20V
f=20MHz
Collector-Base Capacitance
C
cb
8
pF
V
=20V, I
E
=0
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMT415
FMMT417
C
B
E
SOT23
3 - 104
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PDF描述
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