參數(shù)資料
型號(hào)： FMMT451
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR HIGH PERFROMANCE TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 132K
代理商： FMMT451
SOT23 NPN SILICON PLANAR
HIGH PERFROMANCE TRANSISTOR
ISSUE 3 - OCTOBER 1995
FEATURES
*
Low equivalent on-resistance;
R
CE(sat)
400m
at 1A
*
1 Amp continuous current
*
P
tot
= 500 mW
%
COMPLEMENTARY TYPE
PARTMARKING DETAIL
FMMT551
451
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
80
V
Collector-Emitter Voltage
60
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
2
A
Continuous Collector Current
1
A
Base Current
200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
500
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
80
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CEO(sus)
60
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
0.1
μ
A
V
CB
=60V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.35
V
I
C
=150mA, I
B
=15mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.1
V
I
C
=150mA, I
B
=15mA*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
50
10
150
I
C
=150mA, V
=10V*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
Transition
Frequency
f
T
150
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
15
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMT451
C
B
E
3 - 108
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FMMT458 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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