參數(shù)資料
型號(hào)： FMMT415
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR
中文描述： 500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 97K
代理商： FMMT415
SOT23 NPN SILICON PLANAR
AVALANCHE TRANSISTOR
ISSUE 4 - OCTOBER 1995
%
FEATURES
*
Specifically designed for Avalanche mode operation
*
60A Peak Avalanche Current (Pulse width=20ns)
APPLICATIONS
*
Laser LED drivers
*
Fast edge generation
*
High speed pulse generators
PARTMARKING DETAIL
FMMT415 415
FMMT417 417
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FMMT415
FMMT417
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
260
320
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
100
100
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
6
V
Continuous Collector Current
I
C
500
mA
Peak Collector Current (Pulse Width=20ns)
I
CM
60
A
Power Dissipation
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX. UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown
Voltage
FMMT415
V
(BR)CES
260
V
I
C
=1mA
T
amb
= -55 to +150°C
I
C
=1mA
I
C
=100
μ
A
FMMT417
320
V
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
CEO(sus)
100
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
I
CBO
6
V
μ
A
μ
A
I
E
=10
μ
A
V
CB
=180V
V
CB
=180V,
T
amb
=100°C
V
EB
=4V
I
C
=10mA, I
B
=1mA*
Collector Cut-Off Current
0.1
10
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
0.1
μ
A
Collector-Emitter Saturation
Voltage
0.5
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.9
V
I
C
=10mA, I
B
=1mA*
Current in Second Breakdown
(Pulsed)
I
SB
15
25
A
A
V
C
=200V, C
CE
=620pF
V
C
=250V, C
CE
=620pF
I
C
=10mA, V
CE
=10V*
Static Forward Current Transfer
Ratio
h
FE
25
Transition Frequency
f
T
40
MHz
I
=10mA, V
CE
=20V
f=20MHz
Collector-Base Capacitance
C
cb
8
pF
V
=20V, I
E
=0
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMT415
FMMT417
C
B
E
SOT23
3 - 104
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMMT417 NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR
FMMT451 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFROMANCE TRANSISTOR
FMMT455 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
FMMT458 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FMMT459 450V SILICON NPN HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMMT415TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT415TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT415TD 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT417 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR
FMMT417TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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