參數(shù)資料
型號(hào)： FMMT3906
廠商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS
中文描述： 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 174K
代理商： FMMT3906
C
B
E
SOT23 PNP SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTORS
ISSUE 4 – MARCH 2000
PARTMARKING DETAILS -
FMMT3905 - 2W
FMMT3906 - 2A
COMPLEMENTARY TYPES -
FMMT3905 - FMMT3903
FMMT3906 - FMMT3904
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-40
V
CollectorEmitter Voltage
-40
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Continuous Collector Current
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
FMMT3905
FMMT3906.
UNIT CONDITIONS.
MIN
MAX
MIN
MAX
BreakdownVoltages V
(BR)CBO
-40
-40
V
I
C
=-10
μ
A, I
E
=0
V
(BR)CEO
-40
-40
V
I
C
=-1mA, I
B
=0*
I
E
=-10
μ
A, I
C
=0
V
(BR)EBO
-5
-5
V
Cut-Off Currents
I
CEX
-50
-50
nA
V
CE
=-30V, V
BE(off)
=-3V
I
BEX
-50
-50
nA
V
CE
=-30V, V
EB(off)
=-3V
Static Forward
Current
Transfer Ratio
h
FE
30
40
50
30
15
150
60
80
100
60
30
300
I
C
=-0.1mA, V
=-1V*
I
C
=-1mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-50mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-1V*
Saturation
Voltages
V
CE(sat)
-0.25
-0.4
0.25
0.4
V
V
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA*
V
BE(sat)
-0.65
-0.85
-0.95
-0.65
-0.85
-0.95
V
V
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA*
Transition
Frequency
f
T
200
250
MHz I
=-10mA, V
CE
=-20V
f=100MHz
Output Capacitance C
obo
4.5
4.5
pF
V
CB
=-5V, I
E
=0, f=100KHz
Input Capacitance
C
ibo
10
10
pF
V
BE
=0.5V, I
C
=0, f=100KHz
Noise Figure
N
5
4
dB
I
C
=-200mA, V
CE
=-5V
Rg=2k
, f=30Hz to 15kHz
at -3dB points
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=200
μ
s. Duty cycle
=1%
FMMT3905
FMMT3906
PAGE NUMBER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMMT4125 SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR
FMMT413 NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR
FMMT415 NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR
FMMT417 NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR
FMMT451 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFROMANCE TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMMT3906TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT3906TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT4123 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR
FMMT4123TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT4123TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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