參數(shù)資料
型號(hào): FMM5823X
廠商: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述: K-Band Power Amplifier MMIC
中文描述: K波段單片功率放大器
文件頁數(shù): 8/15頁
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代理商: FMM5823X
8
K-Band Power Amplifier MMIC
FMM5823X
VDD=6V, IDD(DC)=700mA, with-Tuning
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
16
18
20
22
24
26
28
30
2-tone Total Output Power [dBm]
I
17.7GHz
21.2GHz
25GHz
27GHz
IM3
VDD=6V, IDD(DC)=700mA, with-Tuning
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
16
17
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19
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21
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24
25
26
27
28
29
Frequency [GHz]
O
Pin=0dBm
Pin=4dBm
Pin=8dBm
Pin=12dBm
P1dB
TUNING PERFORMANCE
FMM5823X can be improved lower band performance by wire-bonding on MMIC chip.
Tuning Position
Output Power vs. Frequency
IMD vs. Output Power
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FMM5829X 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:K-Band Power Amplifier MMIC
FMM60-02TF 功能描述:MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 33V 33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FMM65-015P 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 65 Amps 150V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
FMM6G20US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: