參數(shù)資料
型號(hào)： FMM5823X
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： K-Band Power Amplifier MMIC
中文描述： K波段單片功率放大器
文件頁數(shù)： 11/15頁
文件大?。?/td> 427K
代理商： FMM5823X
11
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50
100
150
200
250
Tch [
o
C ]
M
K-Band Power Amplifier MMIC
FMM5823X
Δ
Tch vs. Drain Voltage
(Reference)
IDD(DC)=700mA
MTTF vs. Tch
Ea=1.56eV
0
5
10
15
20
25
30
4
5
6
7
8
9
VDD [V]
Δ
T
℃
]
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PDF描述
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FMM60-02TF 功能描述:MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 33V 33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FMM65-015P 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 65 Amps 150V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
FMM6G20US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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