參數(shù)資料
型號(hào)： FMM6G30US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Compact & Complex Module
中文描述： 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 24PM-AA, 24 PIN
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 970K
代理商： FMM6G30US60
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM6G30US60 Rev. A
IGBT
F
FMM6G30US60
Compact & Complex Module
General Description
Fairchild IGBT Power Module provides low conduction and
switching losses as well as short circuit ruggedness. It’s
designed for the applications such as motor control and
general inverters where short-circuit ruggedness is
required.
Features
Short Circuit rated Time ; 10us @ T
C
=100
°
C, V
GE
= 15V
High Speed Switching
Low Saturation Voltage : V
CE
(sat) = 2.1 V @ I
C
= 30A
High Input Impedance
3 Phase Rectifier Circuit
Fast & Soft Anti-Parallel FWD
Built-in NTC Thermistor
UL Certified No. E209204
Application
AC & DC Motor Controls
General Purpose Inverters
Robotics
Servo Controls
UPS
Internal Circuit Diagram
R
S
T
P
P+
GU
EU
GV
EV
-GV
U
GW
EW
V
-GW
W
-GU
E
NTC
T1
T2
N
N-
Package Code : 24PM-AA
Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CM (1)
I
F
I
FM
P
D
T
SC
V
RRM
I
O
Description
FMM6G30US60
600
± 20
30
60
30
60
104
10
1600
30
Units
V
V
A
A
A
A
W
us
V
A
Inverter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
Pulsed Collector Current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
Maximum Power Dissipation
Short Circuit Withstand Time
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Output Rectified Current
Surge Forward Current
@ 1Cycle at 60Hz, Peak value Non-Repetitive
Energy pulse @ 1Cycle at 60Hz
@ T
C
= 80
°
C
@ T
C
= 80
°
C
@ T
C
= 25
°
C
@ T
C
= 100
°
C
Converter
I
FSM
300
A
I
2
t
T
J
T
STG
V
ISO
369
A
2
s
°
C
°
C
V
N.m
Common
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Isolation Voltage
Mounting part Screw
-40 to +150
-40 to +125
2500
4.0
@ AC 1minute
@ M4
Mounting Torque
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMM6G50US60 Compact & Complex Module
FMM7G30US60N Compact & Complex Module
FMMD2838 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
FMMD6100 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
FMMT2222-1BZ SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMM6G30US60S 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM6G50US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM75-01F 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 75 Amps 100V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
FMM7G20US60I 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM7G20US60N 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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