參數(shù)資料
型號(hào)： FMM6G30US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Compact & Complex Module
中文描述： 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 24PM-AA, 24 PIN
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 970K
代理商： FMM6G30US60
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM6G30US60 Rev. A
F
-25
0
25
50
75
100
125
1
10
Tem
perature, T [
o
C
]
R
e
[
]
-25
0
25
perature [
o
50
75
100
3400
3450
3500
3550
3600
3650
3700
3750
3800
Tem
C
]
B
o
Fig 20. NTC Characteristics
Fig 19. NTC Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMM6G50US60 Compact & Complex Module
FMM7G30US60N Compact & Complex Module
FMMD2838 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
FMMD6100 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
FMMT2222-1BZ SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMM6G30US60S 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM6G50US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM75-01F 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 75 Amps 100V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
FMM7G20US60I 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM7G20US60N 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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