參數(shù)資料
型號(hào)： FMM6G30US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Compact & Complex Module
中文描述： 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 24PM-AA, 24 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 970K
代理商： FMM6G30US60
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM6G30US60 Rev. A
F
20
30
40
50
60
100
1000
10000
Eoff
Eon
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 15
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
i
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
20
30
40
50
60
100
1000
Tf
Toff
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
e
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 15
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
20
30
40
50
60
100
1000
Ton
Tr
S
i
e
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 15
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
20
40
60
80
100
100
1000
10000
Eon
Eoff
G
ate R
esistance, R
g[
]
S
i
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
20
40
ate R
60
80
100
100
1000
Tr
Ton
G
esistance, R
g[
]
S
i
e
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
20
40
60
80
100
100
1000
Tf
Toff
G
ate R
esistance, R
g[
]
S
i
e
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Fig 7. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 8. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 11. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Switching Loss vs. Collector Current
Fig 9. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 10. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMM6G50US60 Compact & Complex Module
FMM7G30US60N Compact & Complex Module
FMMD2838 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
FMMD6100 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
FMMT2222-1BZ SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FMM75-01F 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 75 Amps 100V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
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FMM7G20US60N 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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