參數(shù)資料
型號(hào)： FMM5822X
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： K-Band Power Amplifier MMIC
中文描述： K波段單片功率放大器
文件頁(yè)數(shù)： 11/14頁(yè)
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代理商： FMM5822X
K-Band Power Amplifier MMIC
11
FMM5822X
Chip Outline and Bonding Pad Locations (Dimension in Micro-Meters)
0
3570
636
1155
VDD3
3075
VDD5
1194
0
0
120
250
2640
2555
2760
1380
2510
2760
120
3450
0
3570
1155
120
3075
RF-IN
RF-OUT
VGG1
620
(VGG2)
VDD1
VDD2
VDD4
Chip Size : 3570
Chip Thickness : 70
Bonding Pad Size :
RF-Pad : 120um x 80um
VGG-Pad : 80um x 80um
VDD-Pad : 100um x 100um
30um x 2760
20um
30um
: Gate voltage is required from either or both bonding pad( VGG1 or/and VGG2).
750
3450
205
280
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMM5823X K-Band Power Amplifier MMIC
FMM5826X Ka-Band Power Amplifier MMIC
FMM5829X K-Band Power Amplifier MMIC
FMM6G30US60 Compact & Complex Module
FMM6G50US60 Compact & Complex Module
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參數(shù)描述
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FMM5829X 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:K-Band Power Amplifier MMIC
FMM60-02TF 功能描述:MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 33V 33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FMM65-015P 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 65 Amps 150V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
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