參數(shù)資料
型號(hào)： FMC7G10US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Signal Generator; Signal Generator Type:ARB/Frequency/Signal; Bandwidth Max:31.5MHz; Modulation Type:Amplitude/Frequency; Sweep Rate Range:0 Hz to 31.5 MHz lin/log; Sweep Time Range:1 mSec to 60 Sec; Accuracy:0.001% Frequency
中文描述： 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 21PM-AA, 21 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 652K
代理商： FMC7G10US60
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FMC7G10US60 Rev. A4
F
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
0.1
1
10
IGBT :
DIODE :
T
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 17. RBSOA Characteristics
Fig 18. Transient Thermal Impedance
0
10
20
30
0
3
6
9
12
15
V
CC
= 100 V
200 V
300 V
Common Emitter
R
L
= 30
T
C
= 25
℃
G
G
Gate Charge, Q
g
[ nC ]
1
10
100
1000
1
10
Safe Operating Area
V
GE
= 20V, T
C
= 100
℃
50
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
5
10
15
20
100
1000
Eon
Eoff
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 20
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Collector Current, I
C
[A]
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
Single Nonrepetitive
Pulse T
= 25
℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
I
C
MAX. (Continuous)
I
C
MAX. (Pulsed)
DC Operation
1
100us
50us
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
100
200
300
400
500
600
700
0.1
1
10
50
Single Nonrepetitive
Pulse T
J
≤
125
℃
V
GE
= 15V
R
G
= 20
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
70754 MICRO FOOT 3x2: 0.5-mm PITCH, 0.165-mm BUMP HEIGHT
7080-02-YO Network Interface Device
7080-01-BO Network Interface Device
7080-01-CO Network Interface Device
7080-01-DO Network Interface Device
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMC7G15US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMC7G20US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMC7G30US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMC7G50US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMC82A2200000 功能描述:搖臂開(kāi)關(guān)與扳鈕開(kāi)關(guān) SPDT 6A 250V On-Off-Mom Black RoHS:否 制造商:C&K Components 觸點(diǎn)形式: 開(kāi)關(guān)功能: 電流額定值:50 mA 電壓額定值 AC: 電壓額定值 DC:30 V 功率額定值: 端接類型: 執(zhí)行器:Paddle 顏色: 安裝風(fēng)格:Panel 端子密封: 觸點(diǎn)電鍍: 照明:Not Illuminated 照明顏色:
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