參數(shù)資料
型號： FMC7G10US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Signal Generator; Signal Generator Type:ARB/Frequency/Signal; Bandwidth Max:31.5MHz; Modulation Type:Amplitude/Frequency; Sweep Rate Range:0 Hz to 31.5 MHz lin/log; Sweep Time Range:1 mSec to 60 Sec; Accuracy:0.001% Frequency
中文描述： 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 21PM-AA, 21 PIN
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 652K
代理商： FMC7G10US60
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FMC7G10US60 Rev. A4
F
Electrical Characteristics of the IGBT
@ Inverter & Brake
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
B
VCES
/
T
J
Voltage
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 250uA
600
--
--
V
Temperature Coeff. of Breakdown
V
GE
= 0V, I
C
= 1mA
--
0.6
--
V/
°
C
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
--
--
--
--
250
± 100
uA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
V
CE(sat)
Collector to Emitter Saturation Voltage
I
C
= 10mA, V
CE
= V
GE
I
C
= 10A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
6.0
2.2
8.5
2.8
V
V
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
660
115
25
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
V
CC
= 300 V, I
C
= 10A,
R
G
= 20
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
15
30
36
158
0.14
0.22
0.36
16
33
42
242
0.16
0.45
0.61
--
--
50
200
--
--
0.5
--
--
60
350
--
--
0.86
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
V
CC
= 300 V, I
C
= 10A,
R
G
= 20
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 125
°
C
T
sc
Short Circuit Withstand Time
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
@
T
C
= 100
°
C
10
--
--
us
Q
g
Q
ge
Q
gc
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
= 300 V, I
C
= 10A,
V
GE
= 15V
--
--
--
30
5
8
45
10
16
nC
nC
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
70754 MICRO FOOT 3x2: 0.5-mm PITCH, 0.165-mm BUMP HEIGHT
7080-02-YO Network Interface Device
7080-01-BO Network Interface Device
7080-01-CO Network Interface Device
7080-01-DO Network Interface Device
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMC7G15US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMC7G20US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMC7G30US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMC7G50US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMC82A2200000 功能描述:搖臂開關(guān)與扳鈕開關(guān) SPDT 6A 250V On-Off-Mom Black RoHS:否 制造商:C&K Components 觸點形式: 開關(guān)功能: 電流額定值:50 mA 電壓額定值 AC: 電壓額定值 DC:30 V 功率額定值: 端接類型: 執(zhí)行器:Paddle 顏色: 安裝風格:Panel 端子密封: 觸點電鍍: 照明:Not Illuminated 照明顏色:
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