參數(shù)資料
型號： FMBM5401
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-6, 6 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 94K
代理商： FMBM5401
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FMBM5401 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
F
FMBM5401
PNP General Purpose Amplifier
This device has matched dies in SuperSOT-6.
Absolute Maximum Ratings*
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may e impaired.
Notes
:
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
,
T
STG
Collector-Emitter Voltage
-150
V
Collector-Base Voltage
-160
V
Emitter-Base Voltage
-5.0
V
Collector Current - Continuous
-600
mA
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 ~ 150
°
C
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Max
Units
Off Characteristics
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage *
I
C
= -1.0mA, I
B
= 0
I
C
= -100
μ
A, I
E
= 0
I
C
= -10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= -120V, I
E
= 0
V
CB
= -120V, I
E
= 0, T
a
= 100
°
C
V
EB
= -3.0V, I
C
= 0
-150
V
Collector-Base Breakdown Voltage
-160
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
-5.0
V
Collector Cut-off Current
-50
-50
nA
μ
A
I
EBO
On Characteristics*
Emitter Cut-off Current
-50
nA
h
FE1
DIVID1
DC Current Gain
V
CE
= -5V, I
C
= -1mA
h
FE1
(Die1)/h
FE1
(Die2)
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
h
FE2
(Die1)/h
FE2
(Die2)
V
CE
= -5V, I
C
= -50mA
h
FE3
(Die1)/h
FE3
(Die2)
50
Variation Ratio of h
FE1
Between Die 1 and Die 2
DC Current Gain
0.9
1.1
h
FE2
DIVID2
60
240
Variation Ratio of h
FE2
Between Die 1 and Die 2
DC Current Gain
0.95
1.05
h
FE3
DIVID3
50
Variation Ratio of h
FE3
Between Die 1 and Die 2
0.9
1.1
C1
E1
C2
B1
SuperSOT
TM
-6
Mark: .4S2
E2
B2
pin #1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier
FMBS5401 PNP General Purpose Amplifier
FMBS549 PNP Low Saturation Transistor
FMBS5551 NPN General Purpose Amplifier
FMBSA06 NPN General Purpose Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMBM5401_SB74001 功能描述:TRANSISTOR PNP 150V 600MA SSOT-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
FMBM5551 功能描述:兩極晶體管 - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMBM5551_SB16001 功能描述:TRANSISTOR NPN 160V 600MA SSOT-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
FM-BN04B0 制造商:Nihon Dempa Kogyo Co (NDK) 功能描述:Switches,Sheet,4-key,Click,NoLight
FMBN04BD 功能描述:輸入設(shè)備 4KEY NONILLUMINATED MEMBRANE SWTCH BLK RoHS:否 制造商:Cherry Electrical 顏色:Gray 特點:Precision switching 鍵盤接口:PS/2 鍵數(shù)量:101 / 102 觸摸板接口:
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