參數(shù)資料
型號(hào)： FMBM5551
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier
中文描述： 600 mA, 160 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： FMBM5551
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FMBM5551 Rev. D
1
www.fairchildsemi.com
F
April 2005
FMBM5551
NPN General Purpose Amplifier
This device has matched dies
Sourced from process 16.
See MMBT5551 for characteristics
Absolute Maximum Ratings *
* Pd total, for both transistors. For each transistor, Pd = 350mW
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
T
θ
JA
Collector-Emitter Voltage
160
V
Collector-Base Voltage
180
V
Emitter-Base Voltage
6
V
Collector Current (DC)
600
mA
Collector Dissipation (T
C
= 25
°
C)
Junction Temperature
0.7
W
150
°
C
°
C
Storage Temperature Range
-55 ~ 150
Thermal Resistance, Junction to Ambient
180
°
C/W
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Max
Units
Off Characteristics
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
Collector-Emitter Voltage
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 120V
V
CB
= 120V, T
a
= 100
°
C
V
EB
= 4V
160
V
Collector-Base Voltage
180
V
Emitter-Base Voltage
6
V
Collector Cut-off Current
50
50
nA
μ
A
I
EBO
On Characteristics
Emitter Cut-off Current
50
nA
h
FE1
DIVID1
DC Current Gain
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
h
FE1
(Die1)/h
FE1
(Die2)
V
CE
= 5V, I
C
= 10mA
h
FE2
(Die1)/h
FE2
(Die2)
80
Variation Ratio of h
FE1
Between Die 1 and Die 2
DC Current Gain
0.9
1.1
h
FE2
DIVID2
80
250
Variation Ratio of h
FE2
Between Die 1 and Die 2
0.95
1.05
C1
E1
C2
B1
SuperSOT
TM
-6
Mark: .3S2
Dot denotes pin #1
E2
B2
pin #1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMBS5401 PNP General Purpose Amplifier
FMBS549 PNP Low Saturation Transistor
FMBS5551 NPN General Purpose Amplifier
FMBSA06 NPN General Purpose Amplifier
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMBM5551_SB16001 功能描述:TRANSISTOR NPN 160V 600MA SSOT-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
FM-BN04B0 制造商:Nihon Dempa Kogyo Co (NDK) 功能描述:Switches,Sheet,4-key,Click,NoLight
FMBN04BD 功能描述:輸入設(shè)備 4KEY NONILLUMINATED MEMBRANE SWTCH BLK RoHS:否 制造商:Cherry Electrical 顏色:Gray 特點(diǎn):Precision switching 鍵盤接口:PS/2 鍵數(shù)量:101 / 102 觸摸板接口:
FM-BN04BD 制造商:Nihon Dempa Kogyo Co (NDK) 功能描述:Switches,Sheet,4-key,Click,NoLight
FMBN04BE 功能描述:輸入設(shè)備 4KEY NONILLUMINATED MEMBRANE SWTCH GRAY RoHS:否 制造商:Cherry Electrical 顏色:Gray 特點(diǎn):Precision switching 鍵盤接口:PS/2 鍵數(shù)量:101 / 102 觸摸板接口:
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