參數(shù)資料
型號(hào)： FMBS549
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP Low Saturation Transistor
中文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 204K
代理商： FMBS549
FMBS549
PNP Low Saturation Transistor
Absolute Maximum Ratings*
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C
-55 to +150
Operating and Storage Junction Temperature Range
T
J,
T
STG
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
A
A
1
2
Collector Current- Continuous
- Peak Pulse Current
I
C
V
5
Emitter-Base Voltage
V
EBO
V
35
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
30
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
Units
Value
Parameter
Symbol
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
*
Device mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
°C/W
180
Thermal Resistance, Junction to Ambient, total
R
θ
JA
mW
700
Total Device Dissipation*
P
D
Units
Max
Characteristics
Symbol
Thermal Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
1999 Fairchild Semiconductor
fmbs549.lwp Rev A PrPB
ThIs device is designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to
2A continous. Sourced from process PB.
F
Package: SuperSOT-6 single
Mark : .S1
NC
C
E
B
C
C
Pin 1
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PDF描述
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