參數(shù)資料
型號： FD200R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Technische Information / technical information
中文描述： 295 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-5
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 178K
代理商： FD200R12KE3
Technische Information / technical information
FD200R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
Kriechstrecke
creepage distance
20
mm
11
mm
clearance distance
Luftstrecke
Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
8 (8)
DB_FD200R12KE3_3.0
2002-10-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FD3000AU-120DA HIGH POWER, HIGH FREQUENCY PRESS PACK TYPE
FD300R12KE3 Technische Information / technical information
FD5000AV-100DA MITSUBISHI RECTIFIER DIODE
FD500JV-90DA Card Edge Connector; Number of Contacts:98; Pitch Spacing:1mm; Tail Length:2.30mm; Contact Termination:Solder; Connector Mounting:PC Board; Contact Material:Phosphor Bronze; Contact Plating:Tin; Leaded Process Compatible:Yes
FD64 64-Pin, Low Profile Quad Flat Package, LQFP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FD200R12KF-K 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048
FD200R12KL-K 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048
FD200R65KF1-K 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 6.3KV 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD200R65KF2-K 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 6500V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD2015LA06 制造商:Eaton Corporation 功能描述:FD 2P 15A W/AUX SW 1A-1B RH TERM L&L
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