參數(shù)資料
型號： FD3000AU-120DA
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： HIGH POWER, HIGH FREQUENCY PRESS PACK TYPE
中文描述： 高功率，高頻率新聞袋型
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 46K
代理商： FD3000AU-120DA
Jul. 2002
Conditions
Applied for all condition angles
f = 60Hz, sine wave
θ
= 180
°
, T
f
=58
°
C
One half cycle at 60Hz, T
j
=125
°
C start
I
FM
= 3000A, V
R
= 3000V, T
j
= 25/125
°
C
C
C
= 6
μ
F, L
C
= 0.3
μ
H
(See Fig. 1, 2)
(Recommended value 108kN)
Typical value 4600g
4700
3000
40
6.7
×
10
6
1000
–40 ~ 125
–40 ~ 150
98 ~ 118
—
MITSUBISHI SOFT RECOVERY DIODE
FD3000AU-120DA
HIGH POWER, HIGH FREQUENCY
PRESS PACK TYPE
FD3000AU-120DA
OUTLINE DRAWING
Dimensions in mm
APPLICATION
High-power inverters
Fly-hweel diode for GCT Thyristor
Power supplies as high frequency rectifiers
V
RRM
I
T(AV)
Repetitive peak reverse voltage
................... 6000V
Average on-state current.................... 3000A
RMS forward current
Average forward current
Surge forward current
Current-squared, time integration
Critical rate of rise of reverse
recovery current
Junction temperature
Storage temperature
Mounting force required
Weight
A
A
kA
A
2
s
A/
μ
s
°
C
°
C
kN
g
I
F(RMS)
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
d
i
/d
t
T
j
T
stg
—
—
Unit
Symbol
V
RRM
V
RSM
V
R(DC)
V
(LTDS)
Repetitive peak reverse voltage
Non-repetitive peak reverse voltage
DC reverse voltage
Long term DC stability voltage
Parameter
V
V
V
V
Symbol
Parameter
Unit
Ratings
MAXIMUM RATINGS
6000
6000
4800
3200
Voltage class
Conditions
—
—
—
λ
= 100Fit
3
±
0
0
f
130
±
0.2
f
190max
f
3.6
±
0.2
2.2
±
0.2 DEPTH
f
3.6
±
0.2
2.2
±
0.2 DEPTH
f
130
±
0.2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FD300R12KE3 Technische Information / technical information
FD5000AV-100DA MITSUBISHI RECTIFIER DIODE
FD500JV-90DA Card Edge Connector; Number of Contacts:98; Pitch Spacing:1mm; Tail Length:2.30mm; Contact Termination:Solder; Connector Mounting:PC Board; Contact Material:Phosphor Bronze; Contact Plating:Tin; Leaded Process Compatible:Yes
FD64 64-Pin, Low Profile Quad Flat Package, LQFP
FD800R33KF2C-K Technische Information / technical information
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FD300R06KE3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD300R07PE4_B6 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 300A 650V
FD300R07PE4B6BOSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
FD300R12KE3 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 300A CHOPPER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FD300R12KS4 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 370A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*