參數(shù)資料
型號(hào)： FD200R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Technische Information / technical information
中文描述： 295 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-5
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 178K
代理商： FD200R12KE3
Technische Information / technical information
FD200R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
min.
typ.
max.
-
0,25
-
μs
-
0,30
-
μs
-
0,09
-
μs
-
0,10
-
μs
-
0,55
-
μs
-
0,65
-
μs
-
0,13
-
μs
-
0,18
-
μs
-
1,65
2,15
V
-
1,65
-
V
-
150
-
A
-
190
-
A
-
20
-
μC
-
36
-
μC
-
9
-
mJ
-
17
-
mJ
Kurzschlussverhalten
SC data
t
P
≤
10μs, V
GE
≤
15V, T
Vj
≤
125°C
I
SC
-
800
-
A
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,6
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,6
, T
vj
= 125°C
I
C
= 200A, V
CC
= 600V
V
CC
= 900V, V
CEmax
= V
CES
- L
σ
CE
·di/dt
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
L
σ
CE
-
20
-
nH
m
0,7
Q
r
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
I
F
= 200A, -di
F
/dt= 2000A/μs
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I
F
=200A, -di
F
/dt= 2000A/μs
R
CC′/EE′
T
c
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,6
, T
vj
= 125°C
E
off
I
C
= 200A, V
CC
= 600V, L
σ
= 80nH
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
stray inductance module
Modulinduktivitt
-
mJ
-
mJ
-
35
E
on
I
C
= 200A, V
CC
= 600V, L
σ
= 80nH
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,6
, T
vj
= 125°C
15
t
d,off
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,6
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,6
, T
vj
= 125°C
I
C
= 200A, V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,6
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,6
, T
vj
= 125°C
Charakteristische Werte / characteristic values
-
-
t
f
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,6
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,6
, T
vj
= 125°C
-
V
F
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
I
F
= 200A, -di
F
/dt= 2000A/μs
Durchlassspannung
I
F
= 200A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
F
= 200A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
Inversdiode / free-wheel diode
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Einschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
Abschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
I
C
= 200A, V
CC
= 600V
t
d,on
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= 200A, V
CC
= 600V
t
r
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
2 (8)
DB_FD200R12KE3_3.0
2002-10-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FD3000AU-120DA HIGH POWER, HIGH FREQUENCY PRESS PACK TYPE
FD300R12KE3 Technische Information / technical information
FD5000AV-100DA MITSUBISHI RECTIFIER DIODE
FD500JV-90DA Card Edge Connector; Number of Contacts:98; Pitch Spacing:1mm; Tail Length:2.30mm; Contact Termination:Solder; Connector Mounting:PC Board; Contact Material:Phosphor Bronze; Contact Plating:Tin; Leaded Process Compatible:Yes
FD64 64-Pin, Low Profile Quad Flat Package, LQFP
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參數(shù)描述
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FD200R65KF2-K 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 6500V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD2015LA06 制造商:Eaton Corporation 功能描述:FD 2P 15A W/AUX SW 1A-1B RH TERM L&L
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