參數(shù)資料
型號： FAB2210UCX
廠商： Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù)： 2/26頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SUBSYSTEM HDPH AMP G 20-WLCSP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
類型： D 類；G 類
輸出類型： 1-通道（單聲道），帶立體聲耳機
在某負載時最大輸出功率 x 通道數(shù)量： 3.3W x 1 @ 8 歐姆; 29mW x 2 @ 32 歐姆
電源電壓： 2.8 V ~ 5.25 V
特點： 消除爆音，差分輸入，I²C，靜音，短路和熱保護，關(guān)機，音量控制
安裝類型： 表面貼裝
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 20-WLCSP
封裝/外殼： 20-UFBGA，WLCSP
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： FAB2210UCXFSDKR
2011 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FAB2210 Rev. 1.1.2
10
FAB2210
—
Audio
Subsystem
with
Class-G
Headphone
and
3.3W
Mono
Clas
s-D
Speaker
with
Dyna
mic
Range
Compressi
on
Typical Performance Characteristics
Speaker Amplifier (Continued)
Figure 16. Output vs. Frequency
Headphone Amplifiers
Unless otherwise noted: audio BW=22 Hz to 20 kHz, fIN=1 kHz, DIFA=1, DIFB=0, HP_AMIX=0, HP_BMIX=1,
SP_AMIX=0, SP_BMIX=0, unused inputs are AC grounded, DRC is off, preamplifier gains=0 dB, headphone
volume=0 dB, headphone amplifier gain=0 dB, speaker volume=0 dB, SP_GAIN=00, edge-rate control is on, spread
spectrum is on, HP_NG_RAT=000, SP_NG_RAT=000, SRST=0, SDA and SCL pull-up voltage=DVDD, ZSPK
= 8 + 33 H, RHP=32 , HP_HIZ=0, SVDD=3.6 V, DVDD=1.8 V, and TA=25°C.
Figure 17. THD+N vs. Output Power
Figure 18. THD+N vs. Frequency
Figure 19. Power Dissipation vs. Output Power
Figure 20. Crosstalk vs. Frequency
-150
-120
-90
-60
-30
0
5
10
15
20
Ampl
itude
(
d
BV)
Frequency (KHz)
f=
1KHz
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
T
HD+N
(%)
Output Power (mW)
f = 1kHz
HP_GAIN[1:0] = 11
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
10
100
T
HD+N
(%)
Frequency (KHz)
Pout = 10mW/Channel
Pout = 20mW/Channel
CIN = 1F
HP_GAIN[1:0] = 11
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1020
3040
506070
80
Pow
e
rD
issi
pati
on
(
m
W
)
Output Power(mW)
f = 1kHz
HP_GAIN[1:0] = 11
HP_NG_RAT[2:0] =
000
-120
-100
-80
-60
-40
-20
0
0.01
0.1
1
10
100
Crosstalk
(dB)
Frequency (KHz)
POUT = 10mW
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PDF描述
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