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參數(shù)資料
| 型號： | EDE5108AHSE-6E-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 8 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 12/64頁 |
| 文件大小： | 871K |
| 代理商： | EDE5108AHSE-6E-E |
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EDE5108AHSE, EDE5116AHSE
Preliminary Data Sheet E0908E40 (Ver. 4.0)
2
Ordering Information
Part number
Mask
version
Organization
(words
× bits)
Internal
Banks
Speed bin
(CL-tRCD-tRP)
Package
EDE5108AHSE-8E-E
EDE5108AHSE-8G-E
EDE5108AHSE-6E-E
EDE5108AHSE-5C-E
EDE5108AHSE-4A-E
H
64M
× 8
4
DDR2-800 (5-5-5)
DDR2-800 (6-6-6)
DDR2-667 (5-5-5)
DDR2-533 (4-4-4)
DDR2-400 (3-3-3)
60-ball FBGA
EDE5116AHSE-8E-E
EDE5116AHSE-8G-E
EDE5116AHSE-6E-E
EDE5116AHSE-5C-E
EDE5116AHSE-4A-E
32M
× 16
DDR2-800 (5-5-5)
DDR2-800 (6-6-6)
DDR2-667 (5-5-5)
DDR2-533 (4-4-4)
DDR2-400 (3-3-3)
84-ball FBGA
Part Number
Elpida Memory
Density / Bank
51: 512Mb /4-bank
Organization
08: x8
16: x16
Power Supply, Interface
A: 1.8V, SSTL_18
Die Rev.
Package
SE: FBGA (with back cover)
Speed
8E: DDR2-800 (5-5-5)
8G: DDR2-800 (6-6-6)
6E: DDR2-667 (5-5-5)
5C: DDR2-533 (4-4-4)
4A: DDR2-400 (3-3-3)
Product Family
E: DDR2
Type
D: Monolithic Device
E D E 51 08 A H SE - 8E - E
Environment code
E: Lead Free
(RoHS compliant)
EOL
Product
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDH816H64C35C9M | 256K X 4 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, DMA40 |
| EDI441024C100BB | 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 100 ns, CDSO24 |
| EDI488MEV6SI | 8M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO32 |
| EDI7P048ATA1003I25 | 48M X 8 FLASH 5V PROM CARD, 250 ns, XMA |
| EDI84256LPS35NM | 256K X 4 STANDARD SRAM, 35 ns, CDSO28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE5108AHSE-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AHSE-8G-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AJBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AJBG-1J | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AJBG-1J-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
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