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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | E28F200B5B60 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | DIRECTIONAL COUPLER, 20DB, SMT |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 345K |
| 代理商： | E28F200B5B60 |
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E
28F200B5, 28F004/400B5, 28F800B5
31
PRELIMINARY
5.5
DC Characteristics—Automotive Temperature (Continued)
Sym
Parameter
Notes
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
IPPE
VPP Erase Current
1
15
25
mA
VPP = VPPH
VPP = VPPH1 (at 5 V)
Block Erase in Progress
10
20
mA
VPP = VPPH
VPP = VPPH2 (at 12 V)
Block Erase in Progress
IPPES
VPP Erase Suspend
Current
1
50
200
A
VPP = VPPH
Block Erase Suspend
in Progress
IRP#
RP# Boot Block Unlock
Current
1,4
500
A
RP# = VHH
VPP = 12 V
IID
A9 Intelligent Identifier
Current
1,4
500
A
A9 = VID
VID
A9 Intelligent Identifier
Voltage
11.4
12.6
V
VIL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
VIH
Input High Voltage
2.0
VCC
±
0.5V
V
VOL
Output Low Voltage
(TTL)
0.45
V
VCC = VCC Min
VPP = 12 V
IOL = 5.8 mA
VOH1
Output High Voltage
(TTL)
2.4
V
VCC = VCC Min
IOH = –1.5 mA
VOH2
Output High Voltage
(CMOS)
VCC –
0.4 V
VVCC = VCC Min
IOH = –100 A
VPPLK
VPP Lock-Out Voltage
3
0.0
1.5
V
Complete Write
Protection
VPPH1VPP (Program/Erase
Operations)
4.5
5.5
V
VPP at 5 V
VPPH2VPP (Program/Erase
Operations)
11.4
12.6
V
VPP at 12 V
VLKO
VCC Program/Erase
Lock Voltage
2.0
V
VHH
RP# Unlock Voltage
11.4
12.6
V
Boot Block Program/
Erase VPP = 12 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| E28F200BX-T120 | 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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參數(shù)描述 |
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| E28F200BL-T150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:2-MBIT (128K x 16, 256K x 8)LOW-POWER BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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