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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DA28F016SA-120 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 28F016SA 16-MBIT (1 MBIT X 16, 2 MBIT X 8)FlashFile MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 12V PROM, 120 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 23.70 X 16 MM, 1.80 MM HEIGHT, SSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 35/63頁 |
| 文件大小： | 635K |
| 代理商： | DA28F016SA-120 |
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E
5.4 DC Characteristics
(Continued)
V
CC
= 5V ± 0.5V, 5V ± 0.25V, T
A
= 0°C to +70°C, –40°C to +85°C
3/5# = Pin Set Low for 5V Operations
28F016SV FlashFile MEMORY
35
Temp
Commercial
Extended
Sym
Parameter
Notes
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Units
Test Conditions
I
PPW
V
PP
Program
Current for
Word or Byte
1,6
7
12
7
12
mA
V
PP
= 12V ± 5%
Program in
Progress
V
PP
= 5V ± 10%
Program in
Progress
V
PP
= 12V ± 5%
Block Erase in
Progress
V
PP
= 5V ± 10%
Block Erase in
Progress
V
PP
= V
PPH1
or
V
PPH2
Block Erase
Suspended
17
22
17
22
mA
I
PPE
V
PP
Block
Erase
Current
1,6
5
10
5
10
mA
16
20
16
20
mA
I
PPES
V
PP
Erase
Suspend
Current
1
30
200
30
200
μA
V
IL
Input Low
Voltage
Input High
Voltage
6
–0.5
0.8
0.8
V
V
IH
6
2.0
V
CC
+
0.5
V
CC
+
0.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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