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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CYD36S36V18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | FullFlex Synchronous SDR Dual-Port SRAM(FullFlex同步SDR雙端口SRAM) |
| 中文描述： | FullFlex器件特別提款權(quán)同步雙端口SRAM（FullFlex器件同步雙端口SRAM的特別提款權(quán)） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 774K |
| 代理商： | CYD36S36V18 |
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FullFlex
Document #: 38-06082 Rev. *F
Page 18 of 52
Maximum Ratings
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Storage Temperature ................................ –65°C to + 150°C
Ambient Temperature with
Power Applied............................................–55°C to + 125°C
Supply Voltage to Ground Potential..............–0.5V to + 4.1V
DC Voltage Applied to
Outputs in High-Z State.......................–0.5V to V
DDIO
+ 0.5V
DC Input Voltage.................................–0.5V to V
DDIO
+ 0.5V
Output Current into Outputs (LOW) ............................ 20 mA
Static Discharge Voltage...........................................> 2200V
(JEDEC JESD8-6, JESD8-B)
Latch-up Current.....................................................> 200 mA
Operating Range
Range
Commercial
Ambient Temperature
0°C to +70°C
VCORE
1.8V
±
1.5V
±
80 mV
1.8V
±
100 mV
1.5V
±
80 mV
Industrial
–40°C to +85°C
Power Supply Requirements
Min.
3.0V
2.3V
1.4V
1.7V
3.0V
2.3V
0.68V
Typ.
3.3V
2.5V
1.5V
1.8V
3.3V
2.5V
0.75V
Max.
3.6V
2.7V
1.9V
1.9V
3.6V
2.7V
0.95V
LVTTL VDDIO
2.5V LVCMOS VDDIO
HSTL VDDIO
1.8V LVCMOS VDDIO
3.3V VTTL
2.5V VTTL
HSTL VREF
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
V
OH
Description
Configuration
LVTTL
All Speed Bins
[24]
Unit
Min.
2.4
[25]
Typ.
Max.
Output HIGH Voltage
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –8 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –4 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –4 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –6 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –4 mA)
Output HIGH Voltage
(V
DDIO
= Min., I
OL
= 8 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OL
= 4 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OL
= 4 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OL
= 6 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OL
= 4 mA)
Input HIGH Voltage
V
HSTL (DC)
[26]
HSTL (AC)
[26]
2.5V LVCMOS
1.8V LVCMOS
LVTTL
VDDIO – 0.4
[25]
VDDIO – 0.5
[25]
1.7
[25]
VDDIO – 0.45
[25]
V
V
V
V
V
V
OL
0.4
[25]
HSTL(DC)
[26]
HSTL (AC)
[26]
2.5V LVCMOS
1.8V LVCMOS
LVTTL
HSTL(DC)
[26]
2.5V LVCMOS
1.8V LVCMOS
LVTTL
HSTL(DC)
[26]
2.5V LVCMOS
1.8V LVCMOS
0.4
[25]
0.5
[25]
0.7
[25]
0.45
[25]
VDDIO + 0.3
VDDIO + 0.3
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
IH
2
VREF + 0.1
1.7
1.26
–0.3
–0.3
0.7
0.36
V
IL
Input LOW Voltage
0.8
VREF – 0.1
Notes:
24.LVTTL and 2.5V LVCMOS are not available for 4-Mbit, 9-Mbit, 18-Mbit devices running at 250 MHz and 36-Mbit devices running at 200 MHz.
25.These parameters are met with VIM disabled.
26.The (DC) specifications are measured under steady state conditions. The (AC) specifications are measured while switching at speed.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| CYDC064B08 | 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM |
| CYDC064B08-40AXC | 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM |
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參數(shù)描述 |
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| CYD36S36V18-133BBXI | 功能描述:IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256LFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2 |
| CYD36S36V18-167BBC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 36MBIT 1MX36 11NS/6NS 484BGA - Bulk |
| CYD36S36V18-167BBXC | 功能描述:IC SRAM 36MBIT 167MHZ 256LFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2 |
| CYD36S36V18-167BBXI | 功能描述:IC SRAM 36MBIT 167MHZ 256LFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2 |
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