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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1460AV25 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結構的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) |
| 中文描述： | 36兆位（1米x 36/2M x 18/512K × 72）流水線的SRAM架構的總線延遲（帶總線延遲結構的36兆位（1米x 36/2M x 18/512K × 72）流水線的SRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 9/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 465K |
| 代理商： | CY7C1460AV25 |
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CY7C1460AV25
CY7C1462AV25
CY7C1464AV25
Document #: 38-05354 Rev. *D
Page 9 of 27
Partial Write Cycle Description
[1, 2, 3, 8]
Function (CY7C1460AV25)
WE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW
d
X
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
BW
c
X
H
H
H
H
L
L
LL
L
H
H
H
H
L
L
L
L
BW
b
X
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
BW
a
X
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
Read
Write – No bytes written
Write Byte a – (DQ
a
and
DQP
a
)
Write Byte b – (DQ
b
and
DQP
b
)
Write Bytes b, a
Write Byte c – (DQ
c
and
DQP
c
)
Write Bytes c, a
Write Bytes c, b
Write Bytes c, b, a
Write Byte d – (DQ
d
and
DQP
d
)
Write Bytes d, a
Write Bytes d, b
Write Bytes d, b, a
Write Bytes d, c
Write Bytes d, c, a
Write Bytes d, c, b
Write All Bytes
Function (CY7C1462AV25)
WE
H
L
L
L
L
BW
b
X
H
H
L
L
BW
a
X
H
L
H
L
Read
Write – No Bytes Written
Write Byte a – (DQ
a
and
DQP
a
)
Write Byte b – (DQ
b
and
DQP
b
)
Write Both Bytes
Function (CY7C1464AV25)
WE
H
L
L
L
BW
x
X
H
L
Read
Write – No Bytes Written
Write Byte X
(DQ
x
and
DQP
x)
Write All Bytes
All BW = L
Note:
8. Table only lists a partial listing of the byte write combinations. Any combination of BW
X
is valid. Appropriate write will be done based on which byte write is active.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1464AV25 | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結構的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) |
| CY7C1462AV25 | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結構的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) |
| CY7C1460AV33 | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結構的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) |
| CY7C1464AV33 | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結構的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) |
| CY7C1462AV33 | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結構的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1460AV25-167AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx36 2.5V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1460AV25-167AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx36 2.5V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1460AV25-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 2.5v 167MHz 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1460AV25-167BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx36 2.5V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1460AV25-167BZI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V 36MBIT 1MX36 3.4NS 165FBGA - Bulk |
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