- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379075 > CY7C1460AV25 (Cypress Semiconductor Corp.) 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1460AV25 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) |
| 中文描述： | 36兆位（1米x 36/2M x 18/512K × 72）流水線的SRAM架構(gòu)的總線延遲（帶總線延遲結(jié)構(gòu)的36兆位（1米x 36/2M x 18/512K × 72）流水線的SRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 13/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 465K |
| 代理商： | CY7C1460AV25 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁當(dāng)前第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁
CY7C1460AV25
CY7C1462AV25
CY7C1464AV25
Document #: 38-05354 Rev. *D
Page 13 of 27
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels ............................................... V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time .................................................... 1 ns
Input timing reference levels.........................................1.25V
Output reference levels.................................................1.25V
Test load termination supply voltage.............................1.25V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
1.8V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels..................................... 0.2V to V
DDQ
– 0.2
Input rise and fall time .....................................................1 ns
Input timing reference levels...........................................0.9V
Output reference levels ..................................................0.9V
Test load termination supply voltage ..............................0.9V
1.8V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
TDO
0.9V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < TA < +70°C; V
DD
= 2.5V ±0.125V unless otherwise noted)
[11]
Parameter
Description
V
OH1
Output HIGH Voltage
V
OH2
Output HIGH Voltage
Test Conditions
Min.
1.7
2.1
1.6
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μ
A
I
OH
= –1.0 mA
I
OH
= –100
μ
A
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
OL1
V
OL2
Output LOW Voltage
Output LOW Voltage
I
OL
= 1.0 mA
I
OL
= 100
μ
A
0.4
0.2
0.2
V
IH
Input HIGH Voltage
1.7
1.26
–0.3
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
0.36
5
V
IL
Input LOW Voltage
I
X
Input Load Current
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
Identification Register Definitions
Instruction Field
Revision Number (31:29)
Device Depth (28:24)
Architecture/Memory Type(23:18)
CY7C1460AV25
(1M ×36)
000
01011
001000
CY7C1462AV25
(2M ×18)
000
01011
001000
CY7C1464AV25
(512K ×72)
000
01011
001000
Description
Describes the version number
Reserved for Internal Use
Defines memory type and archi-
tecture
Defines width and density
Allows unique identification of
SRAM vendor
Indicates the presence of an ID
register
Bus Width/Density(17:12)
Cypress JEDEC ID Code (11:1)
100111
00000110100
010111
00000110100
110111
00000110100
ID Register Presence Indicator (0)
1
1
1
Note:
11. All voltages referenced to V
SS
(GND).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1464AV25 | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) |
| CY7C1462AV25 | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) |
| CY7C1460AV33 | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) |
| CY7C1464AV33 | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) |
| CY7C1462AV33 | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1460AV25-167AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx36 2.5V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1460AV25-167AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx36 2.5V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1460AV25-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (1Mx36) 2.5v 167MHz 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1460AV25-167BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx36 2.5V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1460AV25-167BZI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V 36MBIT 1MX36 3.4NS 165FBGA - Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。