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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1412AV18-167BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 18 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 3/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 1021K |
| 代理商： | CY7C1412AV18-167BZXC |
CY7C1410AV18
CY7C1425AV18
CY7C1412AV18
CY7C1414AV18
Document #: 38-05615 Rev. *D
Page 3 of 25
Logic Block Diagram (CY7C1412AV18)
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[17:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[1:0]
Q
[17:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
18
20
18
36
18
V
REF
W
18
A
(19:0)
20
C
C
18
1
1
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
18
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1414AV18)
CLK
Gen.
A
(18:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[35:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[3:0]
Q
[35:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
36
19
36
72
36
V
REF
W
36
A
(18:0)
19
C
C
36
5
5
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
36
DOFF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1412AV18-167BZXI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-200BZI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-200BZXC | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-200BZXI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-250BZI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1412AV18-167BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1412AV18200BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1412AV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1412AV18-200BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1412AV18-200BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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