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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1412AV18-167BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 18 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 15/25頁 |
| 文件大小： | 1021K |
| 代理商： | CY7C1412AV18-167BZXC |
CY7C1410AV18
CY7C1425AV18
CY7C1412AV18
CY7C1414AV18
Document #: 38-05615 Rev. *D
Page 15 of 25
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[11, 12]
TAP Timing and Test Conditions
[12]
Parameter
t
TCYC
t
TF
t
TH
t
TL
Setup Times
t
TMSS
t
TDIS
t
CS
Hold Times
t
TMSH
t
TDIH
t
CH
Output Times
t
TDOV
t
TDOX
Description
Min
50
Max
Unit
ns
MHz
ns
ns
TCK Clock Cycle Time
TCK Clock Frequency
TCK Clock HIGH
TCK Clock LOW
20
20
20
TMS Setup to TCK Clock Rise
TDI Setup to TCK Clock Rise
Capture Setup to TCK Rise
5
5
5
ns
ns
ns
TMS Hold after TCK Clock Rise
TDI Hold after Clock Rise
Capture Hold after Clock Rise
5
5
5
ns
ns
ns
TCK Clock LOW to TDO Valid
TCK Clock LOW to TDO Invalid
10
ns
ns
0
Notes:
11.t
and t
refer to the setup and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
12.Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. t
R
/t
F
= 1 ns.
(a)
TDO
C
= 20 pF
Z
0
= 50
GND
0.9V
50
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
TCK
Test Mode Select
TMS
Test Data-In
TDI
Test Data-Out
TDO
t
TCYC
t
TMSH
t
TL
t
TH
t
TMSS
t
TDIS
t
TDIH
t
TDOV
t
TDOX
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1412AV18-167BZXI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-200BZI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-200BZXC | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-200BZXI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-250BZI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1412AV18-167BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1412AV18200BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1412AV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1412AV18-200BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1412AV18-200BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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