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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1412AV18-167BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 18 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1021K |
| 代理商： | CY7C1412AV18-167BZXC |
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CY7C1410AV18
CY7C1425AV18
CY7C1412AV18
CY7C1414AV18
Document #: 38-05615 Rev. *D
Page 14 of 25
TAP Controller Block Diagram
TAP Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[15, 18, 10]
0
0
1
2
.
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
.
.
.
106
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
Parameter
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
V
IH
V
IL
I
X
Note:
10.These characteristic pertain to the TAP inputs (TMS, TCK, TDI and TDO). Parallel load levels are specified in the Electrical Characteristics table.
Description
Test Conditions
I
OH
=
2.0 mA
I
OH
=
100
μ
A
I
OL
= 2.0 mA
I
OL
= 100
μ
A
Min
1.4
1.6
Max
Unit
V
V
V
V
V
V
μ
A
Output HIGH Voltage
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
Input and OutputLoad Current
0.4
0.2
0.65V
DD
–0.3
5
V
DD
+ 0.3
0.35V
DD
5
GND
≤
V
I
≤
V
DD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1412AV18-167BZXI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-200BZI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-200BZXC | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-200BZXI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-250BZI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CY7C1412AV18200BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1412AV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1412AV18-200BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1412AV18-200BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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