參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1412AV18-167BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 18 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 23/25頁(yè)
文件大?。?/td> 1021K
代理商： CY7C1412AV18-167BZXC
CY7C1410AV18
CY7C1425AV18
CY7C1412AV18
CY7C1414AV18
Document #: 38-05615 Rev. *D
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167
CY7C1410AV18-167BZC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1425AV18-167BZC
CY7C1412AV18-167BZC
CY7C1414AV18-167BZC
CY7C1410AV18-167BZXC 51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1425AV18-167BZXC
CY7C1412AV18-167BZXC
CY7C1414AV18-167BZXC
CY7C1410AV18-167BZI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1425AV18-167BZI
CY7C1412AV18-167BZI
CY7C1414AV18-167BZI
CY7C1410AV18-167BZXI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1425AV18-167BZXI
CY7C1412AV18-167BZXI
CY7C1414AV18-167BZXI
200
CY7C1410AV18-200BZC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1425AV18-200BZC
CY7C1412AV18-200BZC
CY7C1414AV18-200BZC
CY7C1410AV18-200BZXC 51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1425AV18-200BZXC
CY7C1412AV18-200BZXC
CY7C1414AV18-200BZXC
CY7C1410AV18-200BZI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1425AV18-200BZI
CY7C1412AV18-200BZI
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51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1425AV18-200BZXI
CY7C1412AV18-200BZXI
CY7C1414AV18-200BZXI
250
CY7C1410AV18-250BZC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1425AV18-250BZC
CY7C1412AV18-250BZC
CY7C1414AV18-250BZC
CY7C1410AV18-250BZXC 51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1425AV18-250BZXC
CY7C1412AV18-250BZXC
CY7C1414AV18-250BZXC
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Package Type
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Commercial
Industrial
Commercial
Industrial
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1412AV18-167BZXI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1412AV18-200BZI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1412AV18-200BZXC 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1412AV18-200BZXI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1412AV18-250BZI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
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參數(shù)描述
CY7C1412AV18-167BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1412AV18200BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1412AV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1412AV18-200BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1412AV18-200BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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