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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1394BV18-200BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 512K X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 15/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 446K |
| 代理商： | CY7C1394BV18-200BZXC |
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CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
Page 15 of 27
t
CS
Hold Times
t
TMSH
t
TDIH
t
CH
Output Times
t
TDOV
t
TDOX
Capture Set-up to TCK Rise
5
ns
TMS Hold after TCK Clock Rise
TDI Hold after Clock Rise
Capture Hold after Clock Rise
5
5
5
ns
ns
ns
TCK Clock LOW to TDO Valid
TCK Clock LOW to TDO Invalid
10
ns
ns
0
TAP Timing and Test Conditions
[12]
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range (continued)
[11, 12]
Parameter
Description
Min.
Max.
Unit
(a)
TDO
C
L
= 20 pF
Z
0
= 50
GND
0.9V
50
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
TCK
Test Mode Select
TMS
Test Data-In
TDI
Test Data-Out
TDO
t
TCYC
t
TMSH
t
TL
t
TH
t
TMSS
t
TDIS
t
TDIH
t
TDOV
t
TDOX
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1394BV18-200BZXI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-250BZC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-250BZI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-250BZXC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-250BZXI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1399-12VC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 3.3V 256K-Bit 32K x 8 12ns 28-Pin SOJ 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:R ASSET CODE/B REV - Bulk |
| CY7C139912ZC | 制造商:CYP 功能描述:* |
| CY7C1399-12ZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1399-15VC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 3.3V 256K-Bit 32K x 8 15ns 28-Pin SOJ 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| CY7C139915VI | 制造商:CYPRESS 功能描述:* |
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