參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1324
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 3.3V 128K x 18 Synchronous Cache RAM(3.3V 128K x 18 同步高速緩沖存儲(chǔ)器 RAM)
中文描述： 3.3 128K的× 18同步高速緩存內(nèi)存（3.3 128K的× 18同步高速緩沖存儲(chǔ)器的RAM）
文件頁(yè)數(shù)： 9/15頁(yè)
文件大小： 265K
代理商： CY7C1324
CY7C1324
9
Timing Diagrams
Write Cycle Timing
[14, 15]
Note:
14. WE is the combination of BWE, BW
and GW to define a write cycle (see Write Cycle Descriptions table).
15. WDx stands for Write Data to Address X.
ADSP
CLK
ADSC
ADV
ADD
CE
1
OE
GW
WE
CE
2
CE
3
1a
Data-
In
t
CYC
t
CH
t
CL
t
ADS
t
ADH
t
ADS
t
ADH
t
ADVS
t
ADVH
WD1
WD2
WD3
t
AH
t
AS
t
WS
t
WH
t
WH
t
WS
t
CES
t
CEH
t
CES
t
CEH
t
CES
t
CEH
2b
3a
Single Write
Burst Write
Unselected
ADSP ignored with CE
1
inactive
CE
1
masks ADSP
= DON
’
T CARE
= UNDEFINED
Pipelined Write
2a
2c
2d
t
DH
t
DS
High-Z
High-Z
Unselected with CE
2
ADV Must Be Inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1325F 4-Mb (256K x 18) Flow-Through Sync SRAM
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CY7C1327 256K x 18 Synchronous-Pipelined Cache RAM( 256K x 18 同步流水線式高速緩沖存儲(chǔ)器 RAM)
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參數(shù)描述
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CY7C1324A-117AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1324F-117ACT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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