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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1146V18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 18兆位的DDR - II SRAM的2字突發(fā)架構(gòu)（2.0周期讀寫延遲） |
| 文件頁數(shù)： | 5/27頁 |
| 文件大小： | 969K |
| 代理商： | CY7C1146V18 |
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CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
Document Number: 001-06621 Rev. *C
Page 5 of 27
Pin Configurations
(continued)
CY7C1148V18 (1M x 18)
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
2
3
A
4
5
6
K
K
7
1
A
B
C
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E
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J
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L
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P
R
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CQ
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC/72M
BWS
1
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
R/W
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
NC/144M
DQ9
NC
NC
NC
NC
DQ10
NC
NC
NC
TDO
NC
DQ12
NC
V
REF
NC
DQ15
NC
NC
NC
TCK
NC
BWS
0
A
V
SS
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
DQ11
NC
DQ13
V
DDQ
NC
DQ14
NC
NC
DQ16
DQ17
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
V
DD
V
SS
A
A
NC
A
NC
QVLD
A
8
9
A
10
11
CQ
DQ0
NC/36M
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
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SS
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A
NC
NC
NC
NC
DQ7
NC
DQ8
NC
NC
DQ6
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NC
ZQ
NC
NC
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REF
DQ4
NC
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DQ1
DQ3
DQ2
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDI
TMS
A
NC
A
CY7C1150V18 (512K x 36)
2
3
4
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K
K
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1
A
B
C
D
E
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K
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N
P
R
A
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC/144M
NC/36M
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
R/W
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
DQ27
NC
DQ29
DQ18
DQ28
DQ19
NC
NC
NC
TDO
NC
DQ30
DQ31
V
REF
NC
DQ33
NC
DQ35
NC
TCK
NC
NC
V
SS
V
SS
V
SS
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DD
V
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DD
A
V
SS
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SS
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DD
V
SS
DQ20
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DQ22
V
DDQ
DQ32
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DQ34
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DQ26
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
V
DD
V
SS
A
A
NC
A
NC
QVLD
A
8
9
A
10
11
CQ
DQ0
NC/72M
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
NC
NC
NC
NC
DQ17
NC
DQ8
DQ7
DQ16
DQ6
DQ5
DQ14
ZQ
NC
DQ9
NC
NC
V
REF
DQ13
DQ12
NC
DQ11
DQ3
DQ2
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
DQ4
NC
NC
NC
DQ1
DQ10
TDI
TMS
A
DQ15
A
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1150V18-333BZXC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1150V18-333BZXI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1150V18-375BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1150V18-375BZI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1150V18-375BZXC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C11481KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11481KV18-400BZXC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| CY7C1148KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (1Mx18) 1.8v 440MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1148KV18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1148KV18-450BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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