參數(shù)資料
型號: CY7C1146V18
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
中文描述: 18兆位的DDR - II SRAM的2字突發(fā)架構(2.0周期讀寫延遲)
文件頁數(shù): 26/27頁
文件大?。?/td> 969K
代理商: CY7C1146V18
CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
Document Number: 001-06621 Rev. *C
Page 26 of 27
Package Diagram
Figure 8. 165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm), 51-85180
A
1
PIN 1 CORNER
1
13.00±0.10
7
1.00
0.50 (165X)
0.25 M C A B
0.05 M C
B
A
0.15(4X)
0
SEATING PLANE
0
0
0
PIN 1 CORNER
TOP VIEW
BOTTOM VIEW
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10.00
1
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
11
11
10
9
8
6
7
5
4
3
2
1
P
R
P
R
K
M
N
L
J
H
G
F
E
D
C
B
A
A
1
13.00±0.10
B
C
1
5.00
0
SOLDER PAD TYPE : NON-SOLDER MASK DEFINED (NSMD)
PACKAGE WEIGHT : 0.475g
JEDEC REFERENCE : MO-216 / DESIGN 4.6C
PACKAGE CODE : BB0AC
NOTES :
51-85180-*A
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相關PDF資料
PDF描述
CY7C1150V18-333BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-333BZXI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-375BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-375BZI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-375BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C11481KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C11481KV18-400BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1148KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 440MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1148KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1148KV18-450BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray