參數(shù)資料
型號: CY7C1146V18
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
中文描述: 18兆位的DDR - II SRAM的2字突發(fā)架構(gòu)(2.0周期讀寫延遲)
文件頁數(shù): 23/27頁
文件大小: 969K
代理商: CY7C1146V18
CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
Document Number: 001-06621 Rev. *C
Page 23 of 27
Switching Waveforms
Read/Write/Deselect Sequence
Figure 7. Waveform for 2.0 Cycle Read Latency
[28, 29, 30]
DON’T CARE
UNDEFINED
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
READ
READ
READ
NOP
WRITE
WRITE
t
NOP
11
K
K
LD
R/W
A
tKH
tKL
tCYC
tHC
tSA
tHA
SC
A0
A1
A2
A3
A4
CQ
CQ
QVLD
QVLD
t
NOP
t
QVLD
t
tCCQO
tCQOH
t
tCQOH
QVLD
t
NOP
DQ
KHKH
12
(Read Latency = 2.0 Cycles)
NOP
NOP
CCQO
tSD
HD
tSD
tHD
tCLZ
tCHZ
D20
D21
D30
D31
t
CQDOH
Q00
Q11
Q01
Q10
tDOH
tCO
Q40
Q41
tCQD
t
t
tCQH
CQHCQH
Notes
28.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0 + 1.
29.Outputs are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
30.The third NOP cycle between Read to Write transition is not necessary for correct device operation when Read Latency = 2.0 cycles; however at high frequency
operation, it may be required to avoid bus contention.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1150V18-333BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-333BZXI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-375BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-375BZI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-375BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C11481KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C11481KV18-400BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1148KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 440MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1148KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1148KV18-450BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray