參數(shù)資料
型號(hào): CY62148EV30
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 4-Mbit (512K x 8) Static RAM
中文描述: 4兆位(為512k × 8)靜態(tài)RAM
文件頁數(shù): 12/12頁
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代理商: CY62148EV30
CY62148EV30 MoBL
Document #: 38-05576 Rev. *F
Page 12 of 12
*F
987940
See ECN
VKN
Changed V
OL
spec from 0.4V to 0.2V for SOIC package at I
OL
= 0.1 mA
Changed V
IL
spec from 0.6V to 0.4V for SOIC package at V
CC
= 2.2V to 2.7V
Updated footnote #8
Made footnote #9 applicable for both I
SB2
and I
CCDR
Document Title: CY62148EV30 MoBL
, 4-Mbit (512K x 8) Static RAM
Document Number: 38-05576
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62148EV30LL 4-Mbit (512K x 8) Static RAM
CY62148EV30LL-45BVXI 4-Mbit (512K x 8) Static RAM
CY62148EV30LL-45ZSXI 4-Mbit (512K x 8) Static RAM
CY62148EV30LL-55SXI 4-Mbit (512K x 8) Static RAM
CY62148E 4-Mbit (512K x 8) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62148EV30_09 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (512K x 8) Static RAM
CY62148EV30_12 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (512 K ?? 8) Static RAM
CY62148EV30LL 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (512K x 8) Static RAM
CY62148EV30LL-45BVI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M MoBL Ultra Lo PWR HI SPD MicroPWR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62148EV30LL-45BVIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M MoBL Ultra Lo PWR HI SPD MicroPWR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray