參數(shù)資料
型號： CY62147EV18LL-55BVXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
中文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 388K
代理商： CY62147EV18LL-55BVXI
CY62147EV18 MoBL2
Document #: 38-05441 Rev. *F
Page 8 of 12
Figure 8
shows the Write Cycle No. 3 that is WE Controlled and OE LOW.
[20]
Figure 8. Write Cycle No. 3
Figure 9
shows Write Cycle No. 4 that is BHE/BLE Controlled and OE LOW.
[20]
Figure 9. Write Cycle No. 4
Switching Waveforms
(continued)
DATA
IN
t
HD
t
SD
t
LZWE
t
PWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
SCE
t
WC
t
HZWE
t
BW
NOTE 21
CE
ADDRESS
WE
DATA IO
BHE/BLE
t
HD
t
SD
t
SA
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HA
t
AW
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WC
DATA
IN
t
BW
t
SCE
t
PWE
t
HZWE
t
LZWE
NOTE 21
DATA IO
ADDRESS
CE
WE
BHE/BLE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62147EV30 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV30LL-45BVI 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV30LL-45BVXA 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV30LL-45BVXI 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV30LL-45ZSXI 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62147EV18LL-55BVXIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M MoBL Ultra Lo PWR HI SPD MicroPWR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62147EV30 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV30_09 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV30_11 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256K x 16) Static RAM Wide voltage range: 2.20 V to 3.60 V
CY62147EV30_12 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256Kx16) Satic RAM
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