參數(shù)資料
型號： CY62147EV18LL-55BVXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
中文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 388K
代理商： CY62147EV18LL-55BVXI
CY62147EV18 MoBL2
Document #: 38-05441 Rev. *F
Page 6 of 12
Switching Waveforms
Figure 4
shows the Read Cycle No.1 that is address transition controlled.
[16, 17]
Figure 4. Read Cycle No. 1
Figure 5
shows the Read Cycle No.2 that is OE controlled
.
[17, 18]
Figure 5. Read Cycle No. 2
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
t
RC
t
AA
t
OHA
ADDRESS
DATA OUT
50%
50%
DATA VALID
t
RC
t
ACE
t
LZBE
t
LZCE
t
PU
HIGH MPEDANCE
I
CC
t
HZOE
t
HZCE
t
PD
t
HZBE
t
LZOE
t
DBE
t
DOE
IMPEDANCE
HIGH
I
SB
DATA OUT
OE
CE
V
CC
SUPPLY
CURRENT
BHE/BLE
ADDRESS
Notes:
16.The device is continuously selected. OE, CE
= V
IL
, BHE, BLE or both = V
IL
.
17.WE is HIGH for read cycle.
18.Address valid before or similar to CE and BHE, BLE transition LOW.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62147EV30 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV30LL-45BVI 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV30LL-45BVXA 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV30LL-45BVXI 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV30LL-45ZSXI 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
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參數(shù)描述
CY62147EV18LL-55BVXIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M MoBL Ultra Lo PWR HI SPD MicroPWR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62147EV30 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV30_09 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV30_11 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256K x 16) Static RAM Wide voltage range: 2.20 V to 3.60 V
CY62147EV30_12 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256Kx16) Satic RAM
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